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GAA 3納米落后三星18個月!另辟蹊徑出絕招,臺積電超越三星

2020-02-21 12:25:53 來源:中時電子報
臺積電5納米制程今年下半年進入量產,進度落后的競爭對手三星積極押注下一代制程追趕,兩家公司可望于3納米制程再度交手決戰高下,預期臺積電可能于4月29日北美技術論壇公布3納米最新進展,市調機構推估,臺積電將先采用FinFET(鰭式場效電晶體)3納米,之后在3或2納米后期階段才導入GAA(環繞閘極)制程技術。


在7納米、5納米制程,臺積電和三星都采用FinFET制程技術,不過跨入下一代3納米節點,三星已于去年底宣布采用GAA,跟7納米相較,其晶片面積減少45%,功耗降低50%,整體運算效能拉高35%。
 
市場研究機構IBS指出,臺積電于3納米之所以采用FinFET架構,原因在于想搶在2021年第3季正式進入量產,這速度超前三星快1季的時間。畢竟臺積電在GAA架構的開發落后三星12至18個月,因此延用3納米FinFET策略,可望彌補時程的劣勢。
 
臺積電可能會依據技術的發展路徑,改變3納米戰略,首先計劃采用3納米FinFET,之后或許會調整,在3或2納米的后期階段才導入GAA架構的制程技術。
隨著制程技術的提升,成本價格也不斷水漲船高,但并非所有芯片都需使用3納米或更先進制程,除了蘋果、華為、三星、高通等大廠未來推出的產品使用高端制程外,其他廠商不太需要搶用這部分的產能。

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